大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于提升模块维修良率的方法的问题,于是小编就整理了2个相关介绍提升模块维修良率的方法的解答,让我们一起看看吧。
日本显示公司(JDI)本周宣布了首个 Micro LED 模块的开发,作为下一代显示器和电视的基础,其达成了 265 PPI 的像素密度、以及 3000 尼特的最大亮度。
其***用了 1.6 英寸的方形设计、分辨率 300×300像素,公司***在本周晚些时候的 Fintech Japan 2019 展会上演示该原型装置。
(题图 via AnandTech)
据悉,该原型基于 glo(Micro LED 先驱之一)的氮化镓 LED 芯片,以及 JDI 自己的 LTPS 背板来开发。作为 Micro-LED 显示器开发过程的一部分,其希望通过单个模块来组装全尺寸的显示器。
这种方法不仅有助于提升良率(而不是一点点小瑕疵都导致整块大面板报废),还允许制造商轻松更改模块数量来支持多种不同的分辨率和宽高比。
好消息是,Japan Display 已在原型模块方面取得了重大进展。即便如此,我们距离可批量生产的商用面板,还有好几年的时间。
作为高端显示器和电视机的有力候选,Micro LED 技术有望在未来三到四年内掀起新的浪潮。去不仅拥有 OLED 的各项优势(远超 LCD),还包括独立控制的 LED、高对比度、快速响应、以及广视角。
此外 Micro LED 可避免 OLED 的诸多缺点,如偏轴色移和老化。目前有许多从事 Micro LED 技术的小型公司,当仅有少数几家显示器 / 电视制造商展示过相关原型,初期的商业化规模也较小。
中芯国际和台积电的差距已经不是单单一个光刻机这么简单的事情,属于整体行业技术的差距,也是短时间内无法赶上的技术壁垒,而且现在中芯国际的核心团队还是以前在台积电,三星工作的技术团队,大陆在这方面技术人员以及基础还是相对薄弱,而且光刻机制造技术需要几万个文件,曾经有中国的技术团队去参观荷兰ASML厂区,有技术人员感叹就是把所有的图纸都拿到未必能制造出来,可见工艺的复杂性。
现在的ASML在光刻机领域几乎是统治性的存在,而且基本上一半的机器都出售给了大厂,而且能够在ASML拿到产品的厂家几乎都是股东的身份,现在光刻机领域不仅仅是资金问题,中芯国际曾经订了一台7纳米的光刻机到现在因为各种原因到现在也没有交付,而且即使交付了也很难在短时间内完成突破,所以中芯国际芯片的制造技术现在创新性的使用N+1技术,在2019年14纳米的技术已经开始量产,目前在产能上还是受到很大的制约,随着技术能力的提升产能也会慢慢变得充裕,不管不怎么讲也是中国芯片制造技术中值得骄傲的一件事情。
网络上已经有人传出一种观点,美国可能针对华为的芯片制造方面开始卡脖子,这是釜底抽薪的做法,如果触及到这种层面可能中美贸易对战将会进入一个新的层级,国家也将会***取一定的措施,而且一旦进入这个层面就是一种经济上的灾难,可以想象如果苹果手机不能在中国销售类似这样的措施,对于全球经济的发展也是一种严重的挑战。作为以商人思维行事的美国人也不愿意把事情弄得如此的僵硬,所以对于华为公司的打压主要是抑制,不至于打死的境界。
之所以像华为这种企业在国际上受到如此打的质疑,而且还出现倍卡脖子的现象,关键的原因在于国内很多科技基础不牢固,如果主流的产业已经被中国突破,对于中国企业的限制性也将会极大的降低,所以打铁还得自身硬,中国整个产业已经在努力变强大,但是欧美的很多国家不愿意看到中国一天天的变得强大,所以在舆论的宣传上以及在内心上对于中国的实际发展情况视而不见,从这次疫情上就可以看出端倪,很多国家对于中国的认知还停留在上个世纪的层面。
所以中国的芯片制造产业距离国际化还有很长的路子要走,想要改变这种现状除了积极的培养相关的人才,还是继续加大在教育产业上的投入,只要人才到位了什么技术难关也都能搞定,虽然已经取得了很大的成绩,但是距离真正在世界认可的程度还是有很长的距离要走,特别是在光刻机制造领域还是很长的路线要走,只要意志坚定时间长了总能完成突破,希望能帮到你。
中芯国际与台积电、三星的技术实力差距,当然不是只差一台EUV(极紫外)光刻机。早在2018年,英特尔就向阿斯麦订购了3台EUV光刻机,三星订了6台,台积电则订了10台,结果台积电在制程工艺上还是领先英特尔和三星一代,这就说明EUV光刻机不是制约芯片厂制造技术进步的唯一因素。
买到先进的光刻机,只是具备了制造出先进芯片的前提,好比土豪买了法拉利,还是需要娴熟的驾驶技术的,这样才能飙过别人。
中芯国际原创始人张汝京博士是有故事的***人物。
光刻机有一个重要技术指标“最高分辨率”(单位nm),这是指它在硅片上能刻出的最小尺寸的特征线宽,代表着光刻机的潜能。
芯片的制造工艺流程主要分为前道工艺和后道工艺,光刻机的工作位于前道工艺。前道工艺里,有300到400个子工序,而光刻机占其中的60%左右,处于最复杂最尖端的领域。
当然,上图只是芯片制造的流程,具体工艺纷繁复杂,晶圆运进芯片制造厂后,从晶圆洗净开始,就正式进入制造程序,整个制造工艺包括数百道工艺,详见下图。
由于各厂家有不同的工艺,而每一道工艺的细微差别,都会拉开差距。
原因不难理解,对芯片制造公司来说,***用何种设备,以及具体的工艺流程,可以决定芯片的良率。
光刻机是制程芯片的关键设备。中芯国际与台积电、三星(造芯)虽都从事芯片生产代工业务,但三者之间的差距不仅是一台“光刻机”这么简单。
在制程芯片过程中、工艺节点是一个反映集成电路技术工艺水平最直接的参数。除EUV和DUV***用的紫外光源波长不同造成的区别外,光源的计量控制、透镜曝光的补偿参数等都是提升节点的重要因素。
一、芯片制程工艺、配套的技术和生产链存有不足。
中芯国际目前可制程14nm工艺芯片、並正在攻克良率和抓紧研发7nm生产工艺。而台积电已能为苹果A14仿生芯片、海思麒麟9000、高通骁***75芯片进行5nm制程的量产代工。並已准备3nm工艺芯片投资研发,英特尔将成为其首位3nm芯片的代加工客户。而3nm工艺芯片将在2021年试产、2022年量产、2023年达到月产10万片晶圆的产能,继续拉大与其它代工厂的差距。
即使是现在台积电的5nm工艺,比较7nm工艺也在功耗上降低了30%、性能提升了15%。
三星(造芯)是韩国的一家同时做芯片代工和芯片的企业。其CPU也是依据ARM主体架构设计,拥有7nm、5nm芯片工艺完整的制程产业链,除自给自足外还能为其它厂商代为加工。其生产的5nm工艺相比较7nm工艺功耗降低了20%,性能提升了10%。
由此可见,中芯国际除缺少EUV7nm光刻机外,在光刻机使用技术和工艺上也是有差距的。
光刻机是芯片制造的关键设备,制造技术难度最高。但高端芯片制程还需蚀刻机、透镜加工、薄膜生产设备、抛光机和清洁剂、离子注入设备、扩散炉等设备配套运用。在精密控制、光源计量、透镜工艺、曝光补偿参数调整、材料筛选等方面,台积电和三星有较为成熟、完整的代工生产链和技术。而中芯国际这方面有着除光刻机外而与台积电、三星三者之间有一定的差距。
二、中芯国际与台积电、三星(造芯)在人才、技术积淀和储备、在芯片代工的市场份额、营收上也有较大差距。
台积电为世界第一的独立芯片代加工企业,能从荷兰ASML拿到60%份额顶尖的极紫外光EUV是很大优势。华为、苹果、高通、英特尔、AMD等都是台积电大客户,产能占全球芯片市场的54.2%,2020年二季度营收达3107亿美元、增加28.92%,净利润1209亿美元,增加81.04%,堪称全球第一晶圆代工厂。
很显然中芯国际和台积电不仅仅是差一台光刻机!
1、先来看看中芯国际当前的制程
我们先来看看中芯当前芯片工艺制程的情况吧!
中芯国际14nm工艺2019年Q4已经量产了,前期产能每月3000片左右,2020年将开始产能爬坡,年底将会实现每月15000片。现阶段已经在为华为代工14nm制程的芯片,比如这2天传言的麒麟710A。
中芯12nm的制程在2019年已经实现的客户导入阶段,同时N+1制程也已经进入客户导入验证阶段,预计2021年将实现量产。从现有业内的预估来看,N+1制程也就是7nm工艺,但并非是高端的7nm工艺,助于低功耗版的工艺。同时中芯也已在研制N+2制程,从公布的性能参数来看就是7nm的高性能版。
用简单的话语来说,中芯国际目前量产制程为14nm,已经研发出了N+1的7nm低端工艺,同时高性能7nm工艺在研制中。
2、再来看看台积电和三星的情况
这两家的工艺制程我觉得没必要多说什么,7nm EUV早在2年前就已经量产,5nm制程台积电今年Q2也开始要量产,不过因为疫情关系或有延缓,同时在2019年已经在研发2nm制程,预计2024年能量产。
其实对于代工厂商来说,芯片制程的领先只是其次,更重要的是客户。现阶段全球手机厂商都将芯片代工交给台积电和三星,苹果、华为、高通、AMD、联发科等等,这两家在全球市场中排名第一和第二,两者加起来占了全球近6成的市场份额。
3、中芯和台积电、三星的差距甚大
到此,以上就是小编对于提升模块维修良率的方法的问题就介绍到这了,希望介绍关于提升模块维修良率的方法的2点解答对大家有用。
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